Soitec, le leader mondial dans la génération et la production de matériaux semi-conducteurs pour l'électronique et l'énergie, basé à Bernin en Isère, annonce l'abandon de sa division Energie solaire et la mise en œuvre de son plan stratégique visant à recentrer ses activités sur l'électronique, son cœur de métier. Il indique également d'importantes mesures de restructuration, à commencer par une réduction des effectifs d'environ 100 personnes aux Etats-Unis. Soitec a aujourd'hui des implantations industrielles et des centres de R&D en France, à Singapour, en Allemagne et aux Etats-Unis et emploie environ un millier de salariés. En décembre, l'entreprise avait déjà annoncé une révision des ses objectifs financiers pour les exercices 2015 et 2016 liée à plusieurs changements significatifs sur ses principaux projets de centrales solaires. En quelques années, elle s'était hissée parmi les leaders mondiaux de la production et la fourniture de systèmes photovoltaïques à concentration (CPV). Mais c'était sans compter les retournements de marchés.

Cœur de métier

Le chiffre d'affaires consolidé au troisième trimestre s'établit à 154 millions d'euros en progression de 24,1% par rapport à l'an passé. En se recentrant sur ses activités électroniques, Soitec acccompagne le mouvement de croissance des marchés liés à la mobilité, comme celui des smartphones qui enregistre une hausse annuelle de 30%. Il table également sur sur une demande de ses clients fondeurs sur les solutions FDSOI* en 28nm, notamment avec STmicroelectronics à Crolles.

Soitec annonce également un changement dans sa gouvernance avec un dissociation des fonctions de Président du conseil d'administration et de Directeur Général : Paul Boudre, qui était Directeur général délégué depuis juin 2008 et s'est consacré, au cours des dernières années, à la restructuration et au développement de la division Electronique, devient Directeur général. André-Jacques Auberton-Hervé, cofondateur de Soitec, demeure Président du conseil d'administration.

Isabelle Doucet

*FDSOI : technologie de transistors à film mince de silicium totalement déserté sur isolant (Fully-Depleted Silicon On Insulator : FDSOI)